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“MEMS芯片”
招标采购信息，抢占先机
“MEMS芯片” 近一年的招标采购信息
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1. MEMS芯片中标结果公示北京安酷智芯科技有限公司中标金额（/万元）：12.60
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测量指标符合各仪器出厂标准；（2）电路板集成双侧向所有电路模块功能，符合双侧向仪器采集精度需求；（3）电路板集成MEMS芯片测斜功能，符合连斜仪器测量精度需求；（4）功耗小于2W；（5）具备自识别
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测量指标符合各仪器出厂标准；（2）电路板集成双侧向所有电路模块功能，符合双侧向仪器采集精度需求；（3）电路板集成MEMS芯片测斜功能，符合连斜仪器测量精度需求；（4）功耗小于2W；（5）具备自识别
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序号货物名称简要技术规格数量交货期1双光子3D打印机具备加工陶瓷3D微纳米器件的能力；2)能够在MEMS芯片上加工可控形变微纳器件；3)能够加工超高精度光学超构表面
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序号产品名称数量简要技术规格备注1双光子3D打印机1)具备加工陶瓷3D微纳米器件的能力；2)能够在MEMS芯片上加工可控形变微纳器件；3)能够加工超高精度光学超构表面
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序号名称规格型号数量1低噪声放大器/8件2连接器/MS-N/SMA-JJ10件3MEMS芯片/11个4低频连续波生成模块/1件5连接器/MS-N/SMA
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doc中滦科技ZLKJ2023-10-12#全数字MEMS芯片主通风机振动监测系统询比价采购结果公告
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货物型号货物数量货物单价(元)1上海言合仪器科技有限公司柜式蒸汽灭菌釜；微悬臂梁MEMS芯片式多功能测试仪；蛋白晶体表达及筛选平台新华；迈振；智城MAST
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85.0000000万元（人民币）采购需求：本项目内容为购置柜式蒸汽灭菌釜、微悬臂梁MEMS芯片式多功能测试仪、蛋白晶体表达及筛选平台各1台（具体内容及要求详见招标文件第三部分
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10. 介质膜沉积与刻蚀系统-重招公告3简要技术规格：介质膜沉积与刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台
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11. 介质膜沉积与刻蚀系统-招标公告3简要技术规格：介质膜沉积与刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备，其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台
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12. 成膜及深硅刻蚀系统-重招公告序号产品名称数量交货期1成膜及深硅刻蚀系统1套合同签订生效之日起8个月内2.3简要技术规格：成膜及深硅刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程，在晶圆表面化学气相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜
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13. 晶圆键合系统-重招公告序号产品名称数量交货期1晶圆键合系统1套合同签订生效之日起17个月内2.3简要技术规格：晶圆键合系统用于MEMS芯片的晶圆级密封封装工艺，需通过键合对准机实现待键合的晶圆的键合前对准
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14. 晶圆键合系统-招标公告序号产品名称数量交货期1晶圆键合系统1套合同签订生效之日起17个月内2.3简要技术规格：晶圆键合系统用于MEMS芯片的晶圆级密封封装工艺，需通过键合对准机实现待键合的晶圆的键合前对准
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15. 成膜及深硅刻蚀系统-招标公告序号产品名称数量交货期1成膜及深硅刻蚀系统1套合同签订生效之日起8个月内2.3简要技术规格：成膜及深硅刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程，在晶圆表面化学气相沉积或热氧化生长氮化硅或氧化硅的介质膜层作为深硅刻蚀掩膜
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16. 全自动深腔引线键合机第五次深腔超声换能系统、高精度工件台控制系统、及控制电脑组成，a)视觉识别模块。用于识别MEMS芯片和管壳Pad，获得需要引线互联的位置。b)深腔超声换能模块
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重点满足高端产业人才课程实训基地建设需求，同时提升IC/MEMS芯片制造过程中CVD、ALD、离子注入和干法刻蚀等技术能力水平
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1贵金属电镀台1套本设备用于MEMS芯片制造中的6/8英寸晶圆衬底上芯片线路或MEMS器件结构等应用贵金属材料Au等金属电镀制作工艺
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清洗机MOS清洗2套设备主要用于建立校级微纳工艺平台湿法处理能力，提升IC/MEMS芯片制造过程中基片清洗甩干，湿法刻蚀，以及氧化扩散/CVD等工艺水平
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口产品采购预算1低压化学气相沉积系统1套主要用于建立校级微纳工艺平台，提供IC/MEMS芯片制造过程中多种薄膜材料结构层、绝缘层或掩膜制备能力
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预算1匀胶显影系统2套本设备主要用于建立校级微纳工艺平台涂胶显影能力，提升IC/MEMS芯片制造过程中微纳结构图形化配套工艺水平，支撑世界一流的器件芯片研制和工艺研发
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预算1等离子去胶机1套本设备主要用于建立校级微纳工艺平台光刻去胶能力，提升IC/MEMS芯片制造过程中微纳结构图形化配套工艺水平，支撑世界一流的器件芯片研制和工艺研发
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高压水洗版机1套本设备主要用于建立校级微纳工艺平台紫外光刻版清洗能力，提升IC/MEMS芯片制造过程中微纳结构图形化配套工艺水平，支撑世界一流的器件芯片研制和工艺研发
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深腔超声换能系统、高精度工件台控制系统、及控制电脑组成，a)视觉识别模块。用于识别MEMS芯片和管壳Pad，获得需要引线互联的位置。b)深腔超声换能模块
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1000摄氏度/毫秒。4在广东省内有售后服务点。规格配置要求：1.原位四电极双倾MEMS芯片样品杆(JMH4-DT)-兼容4电极MEMS加热芯片-双倾控制
