基于超陡亚阀摆幅器件的SRAM存储电路设计（测试）成交公示
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| 项目名称 | 省份 | ||
| 业主单位 |
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业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
| 采购信息 | 采购单位名称 | 集成电路学院 | |||||
| 采购项目名称 | 基于超陡亚阀摆幅器件的SRAM存储电路设计（测试） | ||||||
| 成交供应商 | 中国电子技术标准化研究院 | ||||||
| 成 交 价 | 登录即可免费查看元 | ||||||
| 联系方式 | 联系邮箱 | cgzx@ahu.edu.cn | |||||
| 公示时间 | 自发布公示之日起2个工作日 | ||||||
| 采 购 清 单 | |||||||
| 序号 | 物资名称 | 规格型号 | 单 价 | 数 量 | 技术参数 | ||
| 1 | 基于超陡亚阀摆幅器件的SRAM存储电路设计（测试） | / | 登录即可免费查看 | 1项 | 根据提供的 TFET SRAM 和混合集成单元电路芯片，完成1kb SRAM读功耗、静态功耗和混合集成单元电路的功能测试。 | ||
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