南瑞联研半导体有限责任公司(产品研发中心)单一来源采购事前公示
微信分享
关注项目
标讯收藏
项目名称 | 省份 | ||
业主单位 |
认领
立即查看
|
业主类型 | |
总投资 | 建设年限 | ||
建设地点 | |||
审批机关 | 审批事项 | ||
审批代码 | 批准文号 | ||
审批时间 | 审批结果 | ||
建设内容 |
南瑞联研半导体有限责任公司(产品研发中心)单一来源采购事前公示
附:单一来源采购方式论证意见
采购项目及拟定的唯一供应商 | 采购项目名称 | 供应商名称 |
基于精细沟槽技术的1200V IGBT芯片研究与光伏用IGBT器件研制-G12200_V2、G12150_V1针卡 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | |
备注 | 公示期限从2022年8月23日至2022年8月25日止,对公示内容有异议的,请于公示期内以书面形式实名(包括单位名称、联系人、联系方式)反馈至南瑞联研半导体有限责任公司公司(联系人:胡晓英,联系方式:025-81086082) |
附:单一来源采购方式论证意见